(3)多次改变摆线长度，在小摆角下测得不同摆长1对应的摆球摆动周期T,并作出！-T2图像
如图乙所示。根据图线斜率可计算重力加速度8=
m/s2。(结果保留三位有效数
字，π2取9.87)。
l/m
.9
T2/s2
0.6
2.02.53.03.54.04.5
乙
(4)为了提高实验精度，该同学在悬点顶端安装了力传感器来测摆线拉力F,在实验中保持摆
角和摆长为L。不变时，测得F-t的关系如图丙所示，则当地的重力加速度8=
(用
Lo、t1、t2表示)，多次增加摆长L并测出相应F-t图像中拉力F的最大值
(填“变
大”“变小”或“不变”)。
FN
丙
四、计算题（本大题共3小题，共38分。解析应写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤。
只写出最后答案的不得分，有数字计算的题，答案必须明确写出数值和单位)
13.(10分)正弦波因其数学简洁性、物理可实现性及能量集中特性，成为自然界和工程技术中最
基础的“通用语言”。图中的α是一列正弦波在某时刻的波形曲线，b是0.2s后它的波形曲线
5
x/m
(1)若该波的周期T大于0.2s,且向右传播，求波的传播速度和周期；
(2)若该波向左传播，求波的传播速度和周期。
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14.(12分)如图1所示，一质量为=1.5kg、导热性能良好的汽缸放置在水平地面上，右端开口，
汽缸壁内设有卡口，用一质量不计、面积为S心150c2的活塞，密封一定质量的理想气体，活塞
厚度可忽略且能无摩擦滑动。开始时气体处于温度
T=300K、体积V1=500cm3的状态A。现用一细线竖直
i22222122122111224122241
悬挂活塞，待稳定至如图2所示状态B,此时活塞恰好
到达气缸内的卡口处，活塞与卡口无相互作用力。随
后将气缸内气体加热至温度为T3=360K的状态C,从
状态A到状态B的过程中气体吸收热量0.8J,从状态A
wcccccccc
nnnnnnnnnnnnnnnnn
到状态C的过程中气体内能共增加了10.8J,大气压
图1
图2
Po=1.01×10Pa,求：
(1)在状态C的压强P3:
(2)由状态A到状态C过程中一共从外界吸收热量Q。
15.(16分)华为Mte70系列芯片实现了核心设计环节的高度自主化，依托国内半导体产业链完成
了包括制造、封装、测试在内的关键生产流程。这一突破加强了我国科技产业应对外部技术封
锁的韧性，对于保障我国信息安全和科技战略安全具有重大意义。在芯片制造过程中，涉及离
子注入等复杂工序，其在国内产业链中的成熟应用也体现了这一进展的深度。如图所示是离子
注入简化工作原理的示意图，一粒子源从A处不断释放质量为，带电荷量为+q的离子，其
初速度视为零，经电压为)的加速电场加速后，沿图中半径为R的圆弧形虚线通过二圆弧形静
电分析器（静电分析器通道内有均匀辐向分布的电场）后，从P点沿直径PQ方向进入半径为R,
(未知)的圆形匀强磁场区域，磁场方向垂直于纸面向外，磁感应强度大小为B。,经磁场偏转，
离子最后垂直打在平行P2放置且与P四等高的硅片上，不计离子重力及离子间的相互作用，
tan74°=3.5，求：
M
硅
加速电场
静电分析器
(1)离子进入圆形匀强磁场区域时的速度大小'；
(2)离子在静电分析器通道运动的时间：
(3)若硅片N到PQ的距离为3.5R,匀强磁场的磁感应强度大小可以调节，若从P点沿直径
PQ方向进入圆形匀强磁场区域的离子打在硅片最底端N点，求磁感应强度B,的大小。
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